半导体xrd检测xrd残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
x射线衍射分析( x-raydiffraction ,简称xrd ),是利用晶体形成的x射线衍射 ,对物质进行内部原子在空间分布状况的结构分析方法。
仪器技术参数
小角衍小角可以达到0.4度,主要测介孔材料和其他高分子复合材料。广角衍射:低角度可以达到5度,半导体xrd检测平台,可以接收到小于10度的衍射峰。
(1 )测量精度:角度重现性+0.0001° ;测角仪半径***200mm ,测角圆直径可连续变
(2)小步长0.0001°;角度范围(20):-110~168°;温度范围:室温~900°c;
(3)大输出: 3kw ;稳定性: +0.01% ;管电压: 20~ 60kv(1kv/1step) ;管电流: 10~ 60ma。
送样要求
固体粉末:均均干燥,粒度小于70um (过200目) , 质不少于100mg ;块体、金属及薄膜样品:需加工出一平整的表面,尺寸约为20mmx 10mmx 2mm
应用领域
物相分析,可以对物质的组成及物相进行表征分析.定性、定量分析,通过精修可对物质的各组分进行的定量分析。
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残余应力的产生
●残余应力是材料中发生了不均匀的弹性变形或不均匀的弹塑性变形而引起的,或者说是材料的弹性各向---和塑性各向---的反映
●单晶体材料是一个各向---体
●多相多晶体材料在宏观上表现出“伪各向同性”
●在微区,由于晶界的存在和晶粒的不同取向,弹塑性变形总是不均匀的
●冷热变形时沿截面弹塑性变形不均匀
●工件加热、冷却时不同区域的温度分布不均匀,导致热胀冷缩不均匀
●热处理时不均匀的温度分布引起相变过程的不同时性
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红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性,半导体xrd检测,进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源,单色器,探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同,河北半导体xrd检测,分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言,当样品吸收了一定频率的红外辐射后,分子的振动能级发生跃迁,透过的光束中相应频率的光被减弱,造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差,从而得到所测样品的红外光谱。
红外光谱法操作简单,不破坏样品,使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况,直接反映了半导体的许多性质,如确定红外透过率和结晶缺陷,监控外延工艺气体组分分布,测载流子浓度,测半导体薄层厚度和衬底表面。
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