半导体xrd研究所-xrd掠入射(gixrd)检测价格

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随着新一代半导体工艺技术的发展，如低温刻蚀和沉积，需要晶片达到---的温度。---温度的实现目前可选的技术途径一般是采用循环流体介质直接作用在晶片卡盘，而介质可以是单一制冷剂（如液氮）和混合制冷剂。目前，更具有应用前景的是使用混合制冷剂的自复叠混合工质低温制冷技术，但在半导体低温工艺的具体应用中，需要处理好以下两方面的问题：

当制冷系统连接到晶片托盘后，混合工质就在一个容积固定管路内循环运行。在压缩机启动初期，整个系统基本处于较高温度，系统内大部分工质为气相，随着制冷温度的降低，除压缩机和冷凝器外的其他部件内的液相工质含量逐渐增加，当制冷温度达到低时，系统内的液相工质含量达到高。由于气液两相工质的比容相差较大，不同相态的工质通过节流单元的能力不同，工质间的沸点也不同，所以在制冷系统启动初期，通过节流单元的几乎全部为气态工质，压缩机的排气压力也将会---。而在半导体工艺设备中，半导体晶片托盘及其回路部件的大工作压力通常在1~1.4mpa范围内，那么在低温制冷过程中，冷却剂压力可能会超过晶片托盘冷却回路的大操作压力而造成系统损坏。因此，要在晶片制冷系统中增加低温压力控制装置，避免出现高压问题，---制冷系统在整个运行过程中制冷剂压力符合要求。