xrd摇摆曲线检测半导体xrd检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ito导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。
测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能---。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现---接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻---，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。< br />;< br />;著作权归作者所有。
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假如，我们所测量的样品是一个整个的块体，比如一块金属，也许---铸造出来。情况算是很幸运的了。但是，我们的材料往往是要经过加工的。比如拉、拔、压、轧等等。在这个加工的过程中，晶粒总是通过一定的滑移面滑移，加工程度越高，晶粒排列得越整齐有序。我们称这种现象为“择优取向”或存在“织构”。一旦样品中存在择优取向，所测量出来的衍射峰强度就不能与理论计算的(按完全无序)结果一致。你会发现，我们通常测量的衍射谱与pdf卡片上的强度比完全不对应。
也许强峰变成了不强的峰了，甚至弱到看不到了。你还怎么用“该物相的强峰”的强度来计算含量呢？也许有人会说，东方不亮西方亮，一个物相总会有一个强峰呀。但是，此强峰不是彼强峰啊。它与本来的强峰的衍射角、多重因子、结构因子等等都是不同的，是的！于是，有人就想到了一个事情：“一个物相的总散射强度应当是不变的”。试图使用一定散射区内的全部衍射峰的强度来作为物相的衍射强度，当然，此时的rir值也要用此区域内的全部衍射峰强度来计算。这还算简单的想法，
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x-射线照射到超细粉末颗粒（粒径小于几百埃，不管其是晶体还是非晶体）也会发生相干散射现象，也发生在低角度区。但是由微细颗粒产生的相干散射图的特征与上述的由---晶面间距或薄膜产生的小角 x 射线衍射图的特征完全不同。小角衍射，一般应用于测定---晶面间距或薄膜厚度以及薄膜的微观周期结构、周期排列的孔分布等问题；小角散射则是应用于测定超细粉体或疏松多孔材料孔分布的有关性质 。
x-射线照射到样品上还会发生非相干散射，其强度分别也主要集中在在低角度范围，康普顿散射就属于此类，其结果是增加背景。
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