半导体xrd检测xrd残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，香港---行政半导体xrd检测，---重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
表征光路及其需要用到的附件
在进行薄膜测试时，半导体xrd检测实验室，我们需要特殊的x射线衍射仪。当我们使用普通测试粉末衍射的---光束来进行物相分析时影响并不大，但是当我们需要评估薄膜时，使用平行光路就更为合适了。这时候我们就需要利用---的光路设计将发散的---光路转换为平行光路。
外延薄膜通常都是的结晶半导体化合物。为了表征其晶体也就是评估薄膜晶体的与否，这时候我们需要用到rocking curve即摇摆曲线来对薄膜进行评估。并且这时候我们需要在光路中设计一些元件来过滤掉cu靶辐射出来的cukα2和cukβ射线，仅有cukα1射线波长，从而提高光路的分辨率，防止别的x射线的干扰。
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不同x射线残余应力测定方法的原理与应用
(1) sin2ψ法可以采用选取较大的ψ范围和较多的ψ站数进行残余应力测定，从而提高测试精度。cosα法采用单次---，ψ范围不够---造成较大的测量误差，具有局限性，有待于进一步完善。
(2)在基于sin2ψ法原理的测量方法中，与同倾法相比，侧倾法具有明显的性。在被测点所处空间条件允许的前提下，应尽量采用侧倾法。对于某些零件的沟槽部位的残余应力测定，通常采用同倾法。
(3) 在残余应力的计算方法中，可真应变法。
(4) sin2ψ法作为一种标准的方法，ψ角的设置好采用sin2ψ值等分法，尽量多选择几个ψ角进行测量。
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x射线小角散射（small angle x-ray scattering，saxs）是通过收集x射线穿过样品之后产生的散射信号，来研究样品1~100 nm范围之内结构信息的技术。saxs对样品的形式没有特定要求，半导体xrd检测分析，块状，粉末和液体均可，但要求感兴趣的结构与周围环境有电子密度起伏，即衬度。
由于纳米颗粒形貌和尺寸会对其物化性能均会产生影响，为了实现更的纳米颗粒形貌和尺寸的分析，以便---地利用纳米颗粒，采用更具有统计意义的saxs技术是个非常---的选择。首先利用tem对纳米颗粒形貌及尺寸进行初步分析，然后采集不同的纳米颗粒分散液的saxs数据，利用不同的形状因子（即，cube，sphere， 和superball）对数据进行分析得到了不同的p值。当p=1时，纳米颗粒为球形，当，纳米颗粒则为立方体。
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