锂电xrd检测机构-半导体研究所

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薄膜应力作为半导体制程、mems微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国fsm、kla、toho为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单，适合常规fab制程中进行快速qc，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国ksa为代表的mos激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在mems压电薄膜的应力和缺陷监控。

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非晶质衍射图的特征是：在整个扫描角度范围内（从2θ 1°~2°开始到几十度）只观察到被散射的 x 射线强度的平缓的变化，其间可能有一到几个值；开始处因为接近直射光束强度较大，随着角度的增加强度迅速下降，到高角度强度慢慢地趋向仪器的本底值。

从 scherrer 公式的观点看，这个现象可以视为由于晶粒---地细小下去而导致晶体的衍射峰---地宽化、相互重叠而模糊化的结果。晶粒细碎化的---就是只剩下原子或离子这些粒子间的近程有序了，这就是我们所设想的非晶质微观结构的场景。非晶质衍射图上的一个值相对应的是该非晶质中一种常发生的粒子间距离。

介于这两种典型之间而偏一些非晶质的过渡情况便是准晶态了。